CN
CN EN

真空蒸镀原理

发布时间:2025-06-10 作者:海威

真空蒸镀,也被称为真空蒸发镀膜,是一种重要的薄膜制备技术。其基本原理是在高真空环境中,将镀料加热至气化,使其原子或分子以蒸气的形式逸出,并沉积在基片表面,最终凝结成固态薄膜。这一技术具有广泛的应用领域,涵盖了电子、光学、材料科学等多个高科技和工业领域。

 

 
 

 

 

 

真空蒸镀的物理过程

真空蒸镀的物理过程主要包括以下几个步骤:

 

沉积材料蒸发或升华为气态粒子:

在真空室内,通过电阻、电子束、激光等方法加热膜料,使其蒸发或升华,气化为具有一定能量的粒子(原子、分子或原子团)。
气态粒子快速从蒸发源向基片表面输送:
气态粒子以基本无碰撞的直线运动飞速传送至基片。这一过程中,粒子可能会与残余气体分子发生轻微碰撞,但在高真空环境下,这种碰撞被有效减少,确保粒子以直线轨迹抵达基片。
气态粒子附着在基片表面形核、长大成固体薄膜:
到达基片表面的粒子一部分被反射,另一部分吸附在基片上并发生表面扩散。沉积原子之间产生二维碰撞,形成簇团。这些簇团不断地与扩散粒子相碰撞,或吸附单粒子,或放出单粒子。此过程反复进行,当聚集的粒子数超过某一临界值时,就变为稳定的核,再继续吸附扩散粒子而逐步长大。
薄膜原子重构或产生化学键合:
随着更多粒子的持续到达,稳定的核逐渐生长并连结成连续的薄膜。薄膜原子在此过程中可能进行重构或产生化学键合,形成具有特定性能的薄膜材料。

 

真空蒸镀的关键参数

真空蒸镀过程中,需要对多个关键参数进行精确控制,以确保所制备薄膜的均匀性、纯度和附着力:

 

真空度:高真空环境是真空蒸镀的基础,要求气体压强达到10^-2 Pa以下,以减少气体分子的碰撞干扰。

蒸发源温度:蒸发源温度决定了膜料的蒸发速率和蒸气压,进而影响薄膜的厚度和均匀性。

蒸发速率:蒸发速率与膜料的蒸发特性、蒸发源温度以及真空度等因素密切相关,需要精确控制以确保薄膜的质量。

基片温度:基片温度对薄膜的沉积过程、结晶结构和附着力等具有重要影响。适当的预热处理可以增强薄膜与基片之间的附着力。

 

真空蒸镀的加热方式与应用

真空蒸镀的加热方式主要有电阻加热、电子束加热和激光加热等。这些加热方式各有特点,适用于不同的膜料和工艺需求。

电阻加热:适用于大多数金属和合金膜料的蒸发。

电子束加热:具有高效能和高精度,适用于低蒸气压物质的蒸发,如高熔点金属和化合物。

激光加热:能够实现局部快速加热,适用于对温度敏感的材料和复杂形状的基片。

真空蒸镀技术广泛应用于多个领域,包括电子工业中的半导体器件、集成电路、平板显示器以及太阳能电池的生产;光学与光子学领域中的光学薄膜制备;材料科学与表面工程领域中的纳米结构材料制备等。此外,真空蒸镀还用于塑料膜的金属化处理,如装饰膜、压光膜、电容器膜和包装膜的制备。

 

太阳能电池